在晶圆上制造芯片需求经过上百个工序，主要的工艺步骤包括光刻、刻蚀、掺杂、薄膜堆积等。

首先我们在晶圆上层光刻胶，光刻胶(正胶)的特性是经过特定频率光线的映照后，能够溶解在显影液里。然后将设计好图形的掩膜版罩在晶圆之上，用光刻机进行曝光，有些光线透过掩膜版映照到光刻胶上，有些光线被掩膜版上的图形阻挠。曝光之后，将晶圆放在显影液里浸泡，被光线映照过的光刻胶溶解，晶圆外表就留下了和掩膜版一样的光刻胶图形。

通常我们说的28纳米或14纳米工艺，指的就是光刻机可以分辨的最小图形尺寸。晶圆上可以加工的图形尺寸越小，那么同样复杂度的芯片电路所占的面积就越小，一片晶圆上可以切割出来的芯片数量也就越多。由于芯片的加工步骤都是以晶圆为单位进行的，均匀下来单个芯片的本钱也就很低。当然，最小线宽的减少不只能带来芯片本钱的降落，还有很多其他益处，比方功耗的降低、集成度的进步以及良品率的提升等。

比方刻蚀、掺杂或薄膜堆积等。刻蚀能够将没有被光刻胶维护的局部腐蚀掉普通用来在晶圆上挖槽，通常分为干法刻蚀和湿法刻蚀，前者主要采用等离子体轰击,后者普通采用溶剂浸泡溶解。刻蚀完成后，肃清剩余光刻胶，就得到了想要的凹槽图案。为了改动半导体的电学性质，在晶圆上构成四PN结、电阻、欧姆接触等构造，我们还需求将特定的杂质(普通是Ⅲ、Ⅳ族元素，比方磷、砷、硼等)掺入特定的区域中。小尺寸工艺条件下最主要的掺杂办法是离子注入，它直接将具有很高能量的杂质离子注入半导体衬底中，能够准确控制掺杂的深度和浓度。

退火是指将晶圆放在氮气等不生动气体气氛中进行热处置，使不在晶格位置上的离子运动到晶格位置上，一方面能够激活杂质，使其具有电活性，另一方面也能够消弭离子注入带来的晶格损伤。薄膜堆积也是片消费过程中重要的工艺步骤,通常分为化学气相淀积( Chemical Vapor Deposition，CVD)和物理气相淀积( Physical Vapor Deposition，PVD)。CVD是指经过气态物质的化学反响，在衬底上淀积一层薄膜资料的过程。它简直能够淀积集成电路工艺中所需求的各种薄膜，例如二氧化硅、多晶硅、非晶硅、氮化硅、金属(钨、钼)等，适用范围广、台阶掩盖性好。PVD主要包括蒸发和溅射,通常用于淀积芯片中的电极和金属互联层。