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氮化镓芯片突破800°C，高温性能大爆发
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企业第二办公区-企业CBD
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拓荒牛
2025-08-16
![](https://img2.tuohuangzu.com/uninf/images/202508/2025081620041351885.png"></p><p>在半导体领域，氮化镓（gan）与碳化硅（sic）之间的竞争持续升温。最近，宾夕法尼亚州立大学的研究团队在电气工程教授朱荣明的带领下，成功研发出一款能在高达800°c运行的氮化镓芯片，这一温度足以融化食盐，显示出其在极端环境下的潜力。</p><p>氮化镓芯片的突破性进展，可能对未来的太空探测器、喷气引擎及制药过程等应用至关重要。阿肯色大学的电气工程与计算机科学杰出教授艾伦·曼图斯指出，氮化镓芯片能在天然气涡轮机及化工厂的高能耗制造过程中发挥监控作用，这是碳化硅芯片无法实现的。</p><p>这两种半导体材料的优势来自于其宽能隙，氮化镓的能隙为3.4)
