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SK海力士将DRAM与NAND整合至单一封装 实现更高的AI性能
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科技
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来自：
企业信息化服务-企业CBD
|
拓荒牛
2025-11-13
![](https://img2.tuohuangzu.com/uninf/images/202511/2025111305042124551.png"></p><p>据多家韩国媒体报道，sk海力士正在研发新型计算机内存，以加速本地ai运算。这项名为高带宽存储（hbs）的新技术，是此前高带宽闪存（hbf）方案的拓展，将移动dram和nand闪存组件合并于同一设备，专为智能手机、平板等移动设备的ai负载提速而设计。该芯片最多可垂直堆叠16层dram与nand，通过独特的垂直导线扇出结构（vfo）实现层间互连。</p><p>sk海力士早前已在apple)
