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半导体泰斗卢志远：存储技术革新，纳米极限挑战在于光刻机
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拓荒牛
2025-10-24
![](https://img2.tuohuangzu.com/uninf/images/202510/2025102403341383562.png"></p><p>卢志远的科研之路始于物理学，他对半导体材料的浓厚兴趣引领他踏入了这一领域。在贝尔实验室的工作经历，让他深刻认识到基础研究与应用转化之间的紧密联系。1989年，他主持的“次微米计划”成功突破了集成电路行业的极限挑战，将器件工艺推进至纳米级别，为半导体产业的发展奠定了坚实基础。</p><p>对于基础科学人才的培养，卢志远给予了高度评价。他认为，中国在过去二三十年间对教育和科研的巨大投入，已经培养出了一大批视野开阔、正值黄金阶段的优秀科研人才。在基础研究和产业应用方面，中国都已展现出了强劲的竞争力。</p><p>卢志远还展望了半导体领域的未来趋势。他指出，ai的快速发展对算力提出了更高要求，这推动了存算合一、3d堆叠等新方向的探索。同时，他也强调了材料与结构根本性创新的重要性，认为这是推动半导体技术持续进步的关键。</p><p>在对话中，卢志远还分享了自己的科研心得。他认为，科研人员应具备主动探索的习惯，不要急于寻找答案，而是要敢于提出问题。这种科研素养的培养，对于年轻科研人员来说至关重要。</p><p>卢志远的科研生涯和成就，不仅彰显了他在半导体存储领域的卓越贡献，更为全球科技界树立了榜样。他的创新精神和对科学的执着追求，将激励着更多科研人员投身于科技创新的浪潮中。</p>)
